DRAM的可靠性受什么因素影响

挑战

随着IC尺寸的不断减小，它们变得更容易受到多种环境因素的损害，尤其是对于放置在高温或低温且空气中含有微粒的恶劣环境中的系统。在远程维护受限的室外偏远地区设置的系统特别容易受到攻击。

IC质量不均。晶圆内的IC可能不一定具有相同的质量。一个晶片中可能有强集成电路和弱集成电路。在同一DRAM模块上使用不同质量的IC时，该模块将导致系统运行不稳定。

图1 在同一DRAM模块中使用不同质量的IC会导致系统运行不稳定

热度。高工作温度会导致DRAM芯片快速退化，尤其是当安装在空气流通较差的系统和环境中时。
环境。灰尘，有害气体，腐蚀性化学物质，湿气，水和其他空气传播的粒子会渗入DRAM模块，这些颗粒会导致腐蚀和损坏。例如，当来自环境的硫进入电阻器的间隙并与用作敏感电子零件的导电材料的银接触时，银变成称为硫化物的非导电化合物。产生的腐蚀导致电阻器开路。它将不再正常运行，最终导致模块故障。
机电。对触点/金手指的损坏会削弱或影响信号的完整性。静电放电(ESD)使电子在表面间转移，产生静电电荷。摩擦力、接触面积和湿度可以决定静电的产生量。从卷筒上松开胶带或在地毯上行走会产生静电，这可能会损坏电子组件，因为即使是很小的参数变化也会造成不利影响，从性能下降到设备完全故障。
突然增加电源电压到达峰值也可能对IC或存储芯片有害，从而导致DRAM发生故障或缩短其使用寿命。电压波动和突然的功率损耗可能会使组件和电路退化，缩短设备寿命并导致数据丢失或损坏。

DRAM可靠性影响因素

DRAM（动态随机存取存储器）的可靠性受多种因素影响。

以下是一些关键的因素：

Row Hammer：
- Row Hammer 是一种现象，当同一行的 DRAM 单元被频繁访问时，相邻行的单元可能会受到干扰并导致数据翻转。随着 DRAM 单元尺寸的减小，这一问题变得更加严重。
工艺缺陷：
- 在制造过程中引入的缺陷可以导致 DRAM 组件的早期失效，也称为“婴儿死亡率”。这些缺陷可能是随机的，也可能是因为材料或工艺的不一致造成的。
温度：
- 温度过高或过低都可能影响 DRAM 的性能和可靠性。高温会加速 DRAM 内部化学反应的速度，可能导致数据丢失或其他类型的故障。
老化：
- 随着时间的推移，DRAM 单元可能会经历退化，这会影响它们保持电荷的能力，进而影响数据的完整性。
保留时间：
- DRAM 单元需要定期刷新以保持数据。如果刷新间隔过长，数据可能会丢失。
高能粒子：
- 宇宙射线等高能粒子可以穿过 DRAM 芯片并引起单事件翻转（Single Event Upsets, SEUs），导致数据错误。
电压稳定性：
- 不稳定的电压供应可能导致 DRAM 单元中的数据不稳定或丢失。
制造工艺：
- 制造工艺的进步，如新材料和技术，可能会影响 DRAM 的可靠性和性能。
错误纠正码 (ECC)：
- ECC 技术可以检测和纠正 DRAM 中的某些类型的数据错误，但是错误纠正机制本身的复杂性也可能成为可靠性的一个因素。
设计和架构：
- DRAM 的设计和架构特性，如内存控制器、刷新策略等，都会影响其可靠性和性能。
材料：
- 使用的新材料可能具有不同的物理特性和化学稳定性，这也会影响 DRAM 的可靠性。