1700V高压MOSFET WPH4003-1E 具有低导通电阻和高速开关，有助于需要高压电源的工业设备相关应用的低功耗和高效率。WPH4003-1E 反激式电路可以通过减少零件数量来实现“简化栅极驱动电路”和“减少基板面积”的“成本效益”和“环保”应用。

其部分参数如下：

• VDS-漏源极击穿电压：1700V
• ID-连续漏极电流：3A
• RDSON-漏源导通电阻：10.5Ω
• VGS-栅极-源极电压：-30V 至+30V
• 封装TO-3PF

MOSFET 具有高可靠性、高速切换和低损耗等特性，可实现应用程序的高效率。WPH4003-1E 常应用于工业自动化控制、智能自动扶梯、工业仪表自动辅助电源、新能源电动车、手机、穿戴电子、家电消费电子等领域。

N 沟道功率高压 MOSFET 的亮点包括以下方面：

• 低导通电阻：可降低导通损耗，在太阳能逆变器、服务器和通信电源、计算机开关电源等各类高功率、高频开关应用中实现极低的导通损耗，提高系统效率并节能。
• 高开关性能：具有快速的开关速度，能最大限度降低开关损耗，适合高频开关应用。
• 高雪崩耐量和换流能力：能够承受雪崩和换流模式里的高能脉冲，保证通过 100%的 UIS 测试，这意味着其在高压、大电流等苛刻工作条件下具有更高的可靠性和稳定性。
• 低栅极电荷和电容：栅极电荷较低，可在不影响传导损耗的情况下降低开关损耗，并且有利于实现高频开关操作。
• 高可靠性：反向恢复电荷低，有助于避免直通击穿和热击穿等故障，从而提高产品的可靠性。
• 宽电压工作范围：可以适应不同的电压要求，适用于各种电源转换和控制电路。