IGBT（绝缘栅极晶体管）:
常用于百V百A级使用，外观上看相比于MOS最大的区别是比较大，mos主要用于中小功率器件中。
本质是一个电子开关，相比于MOS和三极管来说其最大的特点是耐压很高，可达6000V以上；而且通过的电流很大可达3600A，除此之外其开关频率也很高，但价格很贵。在电动汽车尤为常见，因为电动汽车电池为直流电，而电机为交流电
G极高电平CE导通，G极低电平CE闭合，结合了MOS低驱动电流和三极管低导通电阻
最大的作用是把高压直流电转化为交流电，也就是逆变器的作用，还有就是变频
主要以模块的形式出现，也有把诸多IGBT封装到一个器件的操作，如下：
从左到右依次为IGBT,MOS,三极管
600V以下大多数不选择IGBT,因为其导通时候CE压降在1到2V左右因而导致功率的损耗较大，600V以上这点压降可以忽略不计。另外MOS的开关频率可以做的比IGBT高，一般的家用逆变器的整理桥还是用MOS较多。
永磁同步电机PMSM:无刷电机
